Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy

Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Thin solid films Vol. 551. P. 92-97
Главный автор: Voytsekhovskiy, Alexander V.
Корпоративные авторы: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Другие авторы: Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M.
Формат: Статья в журнале
Язык:English
Предметы:
металл-диэлектрик-полупроводник, структура
кадмиевый теллурид ртути
молекулярно-лучевая эпитаксия
фотоэлектрические характеристики HgCdTe
статьи в журналах
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000469727
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000469727
Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы