Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy

Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy

Bibliographic Details
Published in:Thin solid films Vol. 551. P. 92-97
Main Author: Voytsekhovskiy, Alexander V.
Corporate Authors: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Other Authors: Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M.
Format: Article
Language:English
Subjects:
металл-диэлектрик-полупроводник, структура
кадмиевый теллурид ртути
молекулярно-лучевая эпитаксия
фотоэлектрические характеристики HgCdTe
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000469727
Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Bibliography:Библиогр.: 37 назв.
ISSN:0040-6090

Similar Items