Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy

Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy

Bibliographic Details
Published in:	Thin solid films Vol. 551. P. 92-97
Main Author:	Voytsekhovskiy, Alexander V.
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Other Authors:	Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M.
Format:	Article
Language:	English
Subjects:	металл-диэлектрик-полупроводник, структура кадмиевый теллурид ртути молекулярно-лучевая эпитаксия фотоэлектрические характеристики HgCdTe статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000469727 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Дзядух, Станислав Михайлович
Published: (2010)

Nano‑size defect layers in arsenic‑implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe

Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm

Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса

Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe

Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures

Localization and nature of radiation donor defects in the arsenic implanted CdHgTe films grown by MBE

Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ

Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe

Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films

Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates

Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник

Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells

Электрофизические свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Электротехническое материаловедение
by: Дудкин А. Н.
Published: (2020)

Основные физические процессы в проводниках, полупроводниках и диэлектриках учебное пособие
by: Филяк, М. М.
Published: (2015)

Межфазные превращения и формирование поверхности многокомпонентных полупроводников в жидких средах учебное пособие : [для студентов по направлениям "Химия", "Химия, физика и механика материалов", "Фундаментальная и прикладная химия", аспирантов, преподавателей химических вузов и факультетов]
by: Мокроусов, Геннадий Михайлович
Published: (2015)

Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона
Published: (2001)

Capacitive properties of metal-insulator-semiconductor systems based on an HgCdTe nBn structure grown by molecular beam epitaxy

Электротехническое материаловедение
by: Дудкин, А. Н.
Published: (2020)

Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K

Influence of the compositional grading on concentration of majority charge carriers in near-surface layers of n(p)-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1-xCdxTe in wide temperature range
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Переходные процессы в полупроводниковых и диэлектрических диодах диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Гаман, Василий Иванович 1929-2021
Published: (1969)

Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

The influence of melatonin and cadmium stress on plant growth and development
by: Danilova, Elena D.

Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs

Many-body effects on the Rashba-type spin splitting in bulk bismuth tellurohalides

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
by: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Published: (2011)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
by: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Published: (2009)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
by: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Published: (2014)

Admittance of MIS structures based on graded-gap MBE HgCdTe with Al2O3 insulator

Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic