GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 10/3. С. 221-223
Корпоративные авторы: Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Другие авторы: Lozovoy, Kirill A., Kokhanenko, Andrey P., Satdarov, Vadim G., Kalin, Eugeniy A., Voytsekhovskiy, Alexander V.
Формат: Статья в журнале
Язык:English
Предметы:
квантовые точки
молекулярно-лучевая эпитаксия
кремний
германий
наногетероструктуры
статьи в журналах
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000478009
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000478009
Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы