Peculiarities of modeling the frequency dependences of admittance of MIS structure based on organic P3HT film with an insulator Al2O3 layer

For the depletion and accumulation modes, equivalent circuits of MIS structure based on an organic P3HT thin film with an Al2O3 insulator are proposed. The frequency dependences of the capacitance and conductance of an organic MIS structure were simulated at a temperature of 300 K in the frequency r...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Russian physics journal Vol. 61, № 11. P. 2126-2134
Главный автор:	Voytsekhovskiy, Alexander V.
Другие авторы:	Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	органические полупроводники адмиттанс тонкие пленки МДП-структуры частотные зависимости статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000707751 Перейти в каталог НБ ТГУ