Peculiarities of modeling the frequency dependences of admittance of MIS structure based on organic P3HT film with an insulator Al2O3 layer

Peculiarities of modeling the frequency dependences of admittance of MIS structure based on organic P3HT film with an insulator Al2O3 layer

For the depletion and accumulation modes, equivalent circuits of MIS structure based on an organic P3HT thin film with an Al2O3 insulator are proposed. The frequency dependences of the capacitance and conductance of an organic MIS structure were simulated at a temperature of 300 K in the frequency r...

Full description

Bibliographic Details
Published in:	Russian physics journal Vol. 61, № 11. P. 2126-2134
Main Author:	Voytsekhovskiy, Alexander V.
Other Authors:	Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M.
Format:	Article
Language:	English
Subjects:	органические полупроводники адмиттанс тонкие пленки МДП-структуры частотные зависимости статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000707751 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator

Admittance of MIS structures based on graded-gap MBE HgCdTe with Al2O3 insulator

Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3

Admittance of organic LED structures with an emission YAK-203 layer

Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator

Admittance investigation of MIS structures with GgTe-based single quantum wells

Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1-xCdxTe in wide temperature range
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Admittance of MIS structures based on nBn systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3-5 μm spectral range

Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Electrophysical characteristics of the pentacene-based MIS structures with a SiO2 insulator

Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 -xCdxTe (x = 0.21-0.23) in a wide temperature range

Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures

Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K

Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices

The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te films

Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal-insulator-semiconductor techniques

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells

Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3

Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области

Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур

Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3

Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением

Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm

Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур

Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями

Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy