LEADER 02101nab a2200385 c 4500
001 vtls000519835
003 RU-ToGU
005 20230319145044.0
007 cr |
008 151219|2014 pl s 000 a eng d
035 |a to000519835 
039 9 |a 202102111522  |c 201612210841  |d cat202  |c 201512221032  |d cat202  |c 201512210914  |d cat202  |y 201512191524  |z Александр Эльверович Гилязов 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Background donor concentration in HgCdTe  |c M. Pociask-Bialy, I. I. Izhnin, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.] 
653 |a теллурид кадмия-ртути 
653 |a ионное травление 
655 4 |a статьи в сборниках  |9 879352 
700 1 |a Pociask-Bialy, Malgorzata  |9 156665 
700 1 |a Voytsekhovskiy, Alexander V.  |9 91706 
700 1 |a Korotaev, Alexander G.  |9 106335 
700 1 |a Fitsych, Olena I.  |9 102906 
700 1 |a Dvoretsky, Sergei A.  |9 101527 
700 1 |a Mikhailov, Nikolay N.  |9 103757 
700 1 |a Yakushev, Maxim V.  |9 102909 
700 1 |a Mynbaev, Karim D.  |9 111823 
700 1 |a Izhnin, Igor I.  |9 102905 
710 2 |a Томский государственный университет  |b Радиофизический факультет  |b Кафедра квантовой электроники и фотоники  |9 74990 
710 2 |a Томский государственный университет  |b Сибирский физико-технический институт  |b Научные подразделения СФТИ  |9 106941 
710 2 |a Томский государственный университет  |b Научное управление  |b Лаборатории НУ  |9 113360 
773 0 |t Opto-electronics review  |d 2013  |g Vol. 23, № 3. P. 200-207  |x 1230-3402 
852 4 |a RU-ToGU 
856 7 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519835 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=58109 
908 |a статья 
999 |c 58109  |d 58109