Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te

Carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te films grown by molecular-beam epitaxy were investigated with the use of the Hall-effect studies and mobility spectrum analysis. The implantation was performed with ion energy 190 or 350 keV and ion fluence ranging from 1012 to 1015 cm2....

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Infrared physics and technology Vol. 114. P. 103665 (1-7)
Другие авторы:	Izhnin, Igor I., Mynbaev, Karim D., Voytsekhovskiy, Alexander V., Korotaev, Alexander G., Varavin, Vasilii S., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Yakushev, Maxim V., Fitsych, Olena I., Świątek, Zbigniew
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	имплантация мышьяка ионная имплантация молекулярно-лучевая эпитаксия эпитаксиальные пленки статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901902 Перейти в каталог НБ ТГУ