Electrical properties of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates

The unipolar MWIR nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs (0 1 3) substrates were created. The CdTe content in the barrier layer varied from 0.67 to 0.84 for various samples. Aluminum oxide (Al2O3) films were used to passivate the surface of the mesa structure. For fab...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Infrared physics and technology Vol. 102. P. 103035 (1-4)
Другие авторы:	Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu, Yakushev, Maxim V., Voytsekhovskiy, Alexander V.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	молекулярно-лучевая эпитаксия электрические свойства пленки оксида алюминия темновой ток статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000673798 Перейти в каталог НБ ТГУ