Investigation of the differential resistance of MIS structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers

Investigation of the differential resistance of MIS structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers

The admittance of MIS structures based on n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0.21-0.23) grown by molecular-beam epitaxy on Si and GaAs substrates is studied. The possibility of increasing the value of the product of the differential resistance of the space charge region and area of the field electrode RSCRA by cr...

Full description

Bibliographic Details
Published in:	Journal of communications technology and electronics Vol. 66, № 3. P. 337-339
Other Authors:	Voytsekhovskiy, Alexander V., Kulchitskii, N. A., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Varavin, Vasilii S., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Yakushev, Maxim V., Sidorov, Georgiy Yu
Format:	Article
Language:	English
Subjects:	МДП-структуры молекулярно-лучевая эпитаксия дифференциальное сопротивление вариозные слои статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893729 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te films

Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures

Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями

Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов

Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1-xCdxTe in wide temperature range
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Admittance of MIS structures based on graded-gap MBE HgCdTe with Al2O3 insulator

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3

О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления
by: Талипов, Нияз Хатимович

Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 -xCdxTe (x = 0.21-0.23) in a wide temperature range

Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

Admittance investigation of MIS structures with GgTe-based single quantum wells

Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Electrical characterization of insulator-semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation

Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator

Peculiarities of modeling the frequency dependences of admittance of MIS structure based on organic P3HT film with an insulator Al2O3 layer
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)

Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation

Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур

Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal-insulator-semiconductor techniques

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Дзядух, Станислав Михайлович

Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices

Electrophysical characteristics of the pentacene-based MIS structures with a SiO2 insulator

Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe

Admittance of MIS structures based on nBn systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3-5 μm spectral range

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells

Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe